casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C8M32S-6BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C8M32S-6BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C8M32S-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C8M32S-6BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 256Mb (8M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-TFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M32S-6BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C8M32S-6BINTR-FT |
MT41K512M8DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 IT:J
Micron Technology Inc.
MT41K1G8RKB-107:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel