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Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6BINTR

Número de pieza de MFG
AS4C8M32S-6BINTR
Cantidad disponible
27220 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Alliance Memory, Inc.
Breve descripción
- IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-AS4C8M32S-6BINTR
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
AS4C8M32S-6BINTR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM
Tamaño de la memoria 256Mb (8M x 32)
Frecuencia de reloj 166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 2ns
Tiempo de acceso 5ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 90-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 90-TFBGA (8x13)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AS4C8M32S-6BINTR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto AS4C8M32S-6BINTR-FT

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