casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C8M32MD2A-25BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C8M32MD2A-25BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C8M32MD2A-25BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C8M32MD2A-25BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 256Mb (8M x 32) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -20°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-FBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M32MD2A-25BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C8M32MD2A-25BCN-FT |
AS7C1026B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026C-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026C-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-10JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel