casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C8M16SA-6BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C8M16SA-6BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C8M16SA-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C8M16SA-6BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM |
Tamaño de la memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-TFBGA (8x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M16SA-6BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C8M16SA-6BINTR-FT |
MX25U1635FZBI-10G
Macronix
MX25U1635FZNI-10G
Macronix
MX25U1635FZUI-10G
Macronix
MX25U2033EZBI-12G
Macronix
MX25U3235FZBI-10G
Macronix
MX25U3235FZCI-10G
Macronix
MX25U4033EZBI-12G
Macronix
MX25U5121EMI-14G
Macronix
MX25U6473FM2I-10G
Macronix
MX25V1035FM1I
Macronix
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel