casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M8D2-25BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C64M8D2-25BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M8D2-25BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M8D2-25BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D2-25BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M8D2-25BIN-FT |
AS4C256M8D3L-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel