casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M8D2-25BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C64M8D2-25BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M8D2-25BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M8D2-25BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D2-25BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M8D2-25BCN-FT |
AS4C256M8D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
W631GG8KB-11
Winbond Electronics
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel