casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M16MD1-6BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C64M16MD1-6BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M16MD1-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16MD1-6BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-6BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M16MD1-6BINTR-FT |
W631GU8KB-12
Winbond Electronics
W631GU8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-15
Winbond Electronics
W631GU8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB12I
Winbond Electronics
W631GU8KB12I TR
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W631GU8KB15I
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W631GU8KB15I TR
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W632GU8KB-12
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W632GU8KB-12 TR
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
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A42MX24-FPQG208
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EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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