casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M16MD1-6BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C64M16MD1-6BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M16MD1-6BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16MD1-6BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-6BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M16MD1-6BCN-FT |
W631GG8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GG8KB15I
Winbond Electronics
W631GG8KB15I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-12
Winbond Electronics
W631GU8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-15
Winbond Electronics
W631GU8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB12I
Winbond Electronics
W631GU8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB15I
Winbond Electronics
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel