casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M16MD1-6BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C64M16MD1-6BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M16MD1-6BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16MD1-6BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-6BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M16MD1-6BCN-FT |
W631GG8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GG8KB15I
Winbond Electronics
W631GG8KB15I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-12
Winbond Electronics
W631GU8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-15
Winbond Electronics
W631GU8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB12I
Winbond Electronics
W631GU8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB15I
Winbond Electronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel