casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M16D3L-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C64M16D3L-12BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M16D3L-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16D3L-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D3L-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M16D3L-12BCN-FT |
AT49LV002N-90PI
Microchip Technology
AT49LV002NT-12PC
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AT49LV002NT-12PI
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AT49LV002NT-90PC
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AT49LV002NT-90PI
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AT49LV002T-12PC
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AT49LV002T-12PI
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AT49LV002T-70PC
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AT49LV002T-70PI
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AT49LV002T-90PC
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A42MX36-BGG272
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A3PN125-Z2VQ100
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EP4CGX110DF27C8N
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XC7K480T-L2FFG901I
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XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
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EP1S20F780C5N
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EP1C12F324C7N
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