casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C64M16D3B-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C64M16D3B-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C64M16D3B-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16D3B-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D3B-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C64M16D3B-12BINTR-FT |
AT49LV002-12PI
Microchip Technology
AT49LV002-90PC
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AT49LV002-90PI
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AT49LV002N-12PC
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XC6SLX100-2FG484I
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5SGXMA5H2F35I3LN
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XC5VLX330T-1FFG1738I
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XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
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LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
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