casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C512M16D3L-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C512M16D3L-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C512M16D3L-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C512M16D3L-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 13.75ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (14x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M16D3L-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C512M16D3L-12BINTR-FT |
AT49LV001NT-90PC
Microchip Technology
AT49LV001NT-90PI
Microchip Technology
AT49LV001T-90PC
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AT49LV001T-90PI
Microchip Technology
AT49LV002-12PC
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AT49LV002-12PI
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AT49LV002-90PC
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AT49LV002-90PI
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AT49LV002N-12PC
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AT49LV002N-12PI
Microchip Technology
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
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A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
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10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel