casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C32M16MD1-5BCNTR
Número de pieza del fabricante | AS4C32M16MD1-5BCNTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C32M16MD1-5BCNTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C32M16MD1-5BCNTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FPBGA (8x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MD1-5BCNTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C32M16MD1-5BCNTR-FT |
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
Winbond Electronics
W631GG8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GG8KB15I
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W631GG8KB15I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-12
Winbond Electronics
W631GU8KB-12 TR
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W631GU8KB-15
Winbond Electronics
W631GU8KB-15 TR
Winbond Electronics
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel