casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C32M16D3-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C32M16D3-12BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C32M16D3-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C32M16D3-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16D3-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C32M16D3-12BCN-FT |
AT49F002N-90PC
Microchip Technology
AT49F002N-90PI
Microchip Technology
AT49F002NT-12PC
Microchip Technology
AT49F002NT-12PI
Microchip Technology
AT49F002NT-70PC
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AT49F002NT-70PI
Microchip Technology
AT49F002NT-90PC
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AT49F002NT-90PI
Microchip Technology
AT49F002T-12PC
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AT49F002T-12PI
Microchip Technology
LFXP3C-3T144I
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XC3S1600E-5FG320C
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A3PE600-2FGG484I
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ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
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A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
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5SGXEA3H3F35C2LN
Intel