casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C2M32D1-5BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C2M32D1-5BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C2M32D1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C2M32D1-5BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (2M x 32) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-BGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C2M32D1-5BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C2M32D1-5BIN-FT |
AS4C16M16SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SC-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M8SA-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M8SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel