casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C2M32D1-5BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C2M32D1-5BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C2M32D1-5BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C2M32D1-5BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (2M x 32) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-BGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C2M32D1-5BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C2M32D1-5BCN-FT |
AS4C16M16SA-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SA-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SB-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M16SC-7TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M8SA-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel