casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M8D2-25BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C256M8D2-25BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M8D2-25BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M8D2-25BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 57.5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D2-25BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M8D2-25BIN-FT |
AS4C256M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
W631GG8KB-11
Winbond Electronics
W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
Winbond Electronics
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel