casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M8D2-25BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M8D2-25BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M8D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M8D2-25BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 57.5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D2-25BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M8D2-25BINTR-FT |
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
W631GG8KB-11
Winbond Electronics
W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
Winbond Electronics
W631GG8KB12I TR
Winbond Electronics
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation