casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M8D2-25BCNTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M8D2-25BCNTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M8D2-25BCNTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M8D2-25BCNTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 57.5ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D2-25BCNTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M8D2-25BCNTR-FT |
AS4C256M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
W631GG8KB-11
Winbond Electronics
W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel