casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M16D3LA-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C256M16D3LA-12BCN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS4C256M16D3LA-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M16D3LA-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (9x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3LA-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M16D3LA-12BCN-FT |
AS7C3256A-15TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-15TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-20TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel