casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C256M16D3-12BANTR
Número de pieza del fabricante | AS4C256M16D3-12BANTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C256M16D3-12BANTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C256M16D3-12BANTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3-12BANTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C256M16D3-12BANTR-FT |
AS7C256A-10TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-15TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20TCN
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel