casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C16M16MD1-6BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C16M16MD1-6BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C16M16MD1-6BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16MD1-6BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FPBGA (8x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16MD1-6BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C16M16MD1-6BIN-FT |
93LC46B/W15K
Microchip Technology
93LC46B/WF15K
Microchip Technology
93LC46BT-I/OT15KVAO
Microchip Technology
93LC46C-I/S15K
Microchip Technology
93LC46C-I/W15K
Microchip Technology
93LC46C-I/WF15K
Microchip Technology
93LC46C/S15K
Microchip Technology
93LC46C/W15K
Microchip Technology
93LC46C/WF15K
Microchip Technology
93LC56C-I/S15K
Microchip Technology
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel