casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M8D3-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M8D3-12BCN |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AS4C128M8D3-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D3-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-FBGA (8x10.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M8D3-12BCN-FT |
AS7C34096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C32M32MD1A-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel