casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M8D1-6TIN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M8D1-6TIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M8D1-6TIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D1-6TIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 66-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D1-6TIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M8D1-6TIN-FT |
AS7C256A-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-20JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12JIN
Alliance Memory, Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel