casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M32MD2A-18BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C128M32MD2A-18BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M32MD2A-18BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M32MD2A-18BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 134-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 134-FBGA (10x11.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M32MD2A-18BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M32MD2A-18BINTR-FT |
AS7C31026B-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C3513B-10JCN
Alliance Memory, Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel