casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3L-12BIN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3L-12BIN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3L-12BIN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D3L-12BIN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3L-12BIN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3L-12BIN-FT |
AS7C3256A-12TCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6264-55STCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6264-55STCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TCNTR
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel