casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3L-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3L-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3L-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D3L-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3L |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3L-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3L-12BINTR-FT |
AS6C62256-55STCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6264-55STCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6264-55STCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TIN
Alliance Memory, Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel