casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3B-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3B-12BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3B-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D3B-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3B-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3B-12BCN-FT |
AT49F002AN-55PI
Microchip Technology
AT49F002ANT-55PI
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AT49F002AT-55PI
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AT49F002N-12PC
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AT49F002N-12PI
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AT49F002N-55PC
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AT49F002N-55PI
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AT49F002N-70PC
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AT49F002N-70PI
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AT49F002N-90PC
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XC2VP4-5FGG256I
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XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
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A54SX16-1VQG100I
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5SGXEA5K2F35I3N
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5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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EPF10K100EQC240-1N
Intel