casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3-12BINTR
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3-12BINTR |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D3-12BINTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3-12BINTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3-12BINTR-FT |
AT49LV002T-12PI
Microchip Technology
AT49LV002T-70PC
Microchip Technology
AT49LV002T-70PI
Microchip Technology
AT49LV002T-90PC
Microchip Technology
AT49LV002T-90PI
Microchip Technology
NAND01GR3B2CZA6E
Micron Technology Inc.
AS7C256A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TCN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel