casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3-12BCN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3-12BCN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3-12BCN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M16D3-12BCN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3-12BCN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3-12BCN-FT |
AT49LV002NT-90PC
Microchip Technology
AT49LV002NT-90PI
Microchip Technology
AT49LV002T-12PC
Microchip Technology
AT49LV002T-12PI
Microchip Technology
AT49LV002T-70PC
Microchip Technology
AT49LV002T-70PI
Microchip Technology
AT49LV002T-90PC
Microchip Technology
AT49LV002T-90PI
Microchip Technology
NAND01GR3B2CZA6E
Micron Technology Inc.
AS7C256A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel