casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3-12BAN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3-12BAN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3-12BAN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C128M16D3-12BAN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3-12BAN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3-12BAN-FT |
AT49LV002NT-12PC
Microchip Technology
AT49LV002NT-12PI
Microchip Technology
AT49LV002NT-90PC
Microchip Technology
AT49LV002NT-90PI
Microchip Technology
AT49LV002T-12PC
Microchip Technology
AT49LV002T-12PI
Microchip Technology
AT49LV002T-70PC
Microchip Technology
AT49LV002T-70PI
Microchip Technology
AT49LV002T-90PC
Microchip Technology
AT49LV002T-90PI
Microchip Technology
XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
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5SGXEA4H3F35C4N
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XC6VHX250T-1FF1154I
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XC6SLX16-L1CSG225C
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XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel