casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AS4C128M16D3-12BAN
Número de pieza del fabricante | AS4C128M16D3-12BAN |
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Número de parte futuro | FT-AS4C128M16D3-12BAN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C128M16D3-12BAN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3-12BAN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AS4C128M16D3-12BAN-FT |
AT49LV002NT-12PC
Microchip Technology
AT49LV002NT-12PI
Microchip Technology
AT49LV002NT-90PC
Microchip Technology
AT49LV002NT-90PI
Microchip Technology
AT49LV002T-12PC
Microchip Technology
AT49LV002T-12PI
Microchip Technology
AT49LV002T-70PC
Microchip Technology
AT49LV002T-70PI
Microchip Technology
AT49LV002T-90PC
Microchip Technology
AT49LV002T-90PI
Microchip Technology
XCS20-3TQ144I
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XC3SD3400A-4CS484C
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LAE5UM-45F-7BG381E
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5SGSMD4K3F40I3L
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XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
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LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EPF10K50VRI240-3
Intel