casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APTM20UM03FAG
Número de pieza del fabricante | APTM20UM03FAG |
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Número de parte futuro | FT-APTM20UM03FAG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APTM20UM03FAG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 580A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 290A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 15mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 840nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 43300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2270W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
Paquete / Caja | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM20UM03FAG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTM20UM03FAG-FT |
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