casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APTM10UM02FAG
Número de pieza del fabricante | APTM10UM02FAG |
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Número de parte futuro | FT-APTM10UM02FAG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM10UM02FAG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 570A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 200A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 40000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1660W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
Paquete / Caja | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10UM02FAG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTM10UM02FAG-FT |
SQM40081EL_GE3
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