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Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G

Name: APTM10DHM09T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM10DHM09T3G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (418 reviews)

Número de pieza de MFG: APTM10DHM09T3G

Cantidad disponible: 44110 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS V® MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APTM10DHM09T3G.pdf

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Número de pieza del fabricante	APTM10DHM09T3G
Número de parte futuro	FT-APTM10DHM09T3G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS V®
APTM10DHM09T3G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	350nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	9875pF @ 25V
Potencia - max	390W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Caja	SP3
Paquete del dispositivo del proveedor	SP3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10DHM09T3G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APTM10DHM09T3G-FT

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