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Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G

Número de pieza de MFG
APTM100VDA35T3G
Cantidad disponible
26110 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 7® MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APTM100VDA35T3G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5200pF @ 25V
Potencia - max 390W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caja SP3
Paquete del dispositivo del proveedor SP3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100VDA35T3G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTM100VDA35T3G-FT

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