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Microsemi Corporation APTM100H46FT3G

Name: APTM100H46FT3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100H46FT3G
Price: 40.2924 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (303 reviews)

Número de pieza de MFG: APTM100H46FT3G

Cantidad disponible: 44760 Piezas

Precio de referencia: USD 40.2924

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fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS 8™ MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APTM100H46FT3G.pdf

APTM100H46FT3G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	APTM100H46FT3G
Número de parte futuro	FT-APTM100H46FT3G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 8™
APTM100H46FT3G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6800pF @ 25V
Potencia - max	357W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Caja	SP3
Paquete del dispositivo del proveedor	SP3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100H46FT3G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APTM100H46FT3G-FT

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