casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / APTC80H29T1G
Número de pieza del fabricante | APTC80H29T1G |
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Número de parte futuro | FT-APTC80H29T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTC80H29T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2254pF @ 25V |
Potencia - max | 156W |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | SP1 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTC80H29T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTC80H29T1G-FT |
DMT3022UEV-7
Diodes Incorporated
NTMFD5C462NLT1G
ON Semiconductor
VMM45-02F
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XC6VHX380T-1FFG1923I
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