casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT8018JN
Número de pieza del fabricante | APT8018JN |
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Número de parte futuro | FT-APT8018JN |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS IV® |
APT8018JN Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 700nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 690W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT8018JN Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT8018JN-FT |
APT41F100J
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AGL1000V5-FGG256I
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LCMXO3L-4300C-5BG324I
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EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
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