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APT75GP120B2G Image

Microsemi Corporation APT75GP120B2G

Número de pieza de MFG
APT75GP120B2G
Cantidad disponible
18870 Piezas
Precio de referencia
USD 21.936
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 7® IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-APT75GP120B2G
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APT75GP120B2G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo IGBT PT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max) 100A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A
Potencia - max 1042W
Energía de conmutación 1620µJ (on), 2500µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 320nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 20ns/163ns
Condición de prueba 600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-247-3 Variant
Paquete del dispositivo del proveedor -
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT75GP120B2G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT75GP120B2G-FT

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