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APT68GA60B2D40 Image

Microsemi Corporation APT68GA60B2D40

Número de pieza de MFG
APT68GA60B2D40
Cantidad disponible
11690 Piezas
Precio de referencia
USD 8.480136
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 8™ IGBT 600V 121A 520W TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante APT68GA60B2D40
Número de parte futuro FT-APT68GA60B2D40
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 8™
APT68GA60B2D40 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo IGBT PT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Corriente - Colector (Ic) (Max) 121A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 202A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Potencia - max 520W
Energía de conmutación 715µJ (on), 607µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 198nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 21ns/133ns
Condición de prueba 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-247-3 Variant
Paquete del dispositivo del proveedor -
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT68GA60B2D40 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT68GA60B2D40-FT

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