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APT65GP60B2G Image

Microsemi Corporation APT65GP60B2G

Número de pieza de MFG
APT65GP60B2G
Cantidad disponible
36940 Piezas
Precio de referencia
USD 17.112
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 7® IGBT 600V 100A 833W TMAX
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-APT65GP60B2G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APT65GP60B2G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo IGBT PT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Corriente - Colector (Ic) (Max) 100A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Potencia - max 833W
Energía de conmutación 605µJ (on), 896µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 210nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 30ns/91ns
Condición de prueba 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-247-3 Variant
Paquete del dispositivo del proveedor -
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT65GP60B2G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT65GP60B2G-FT

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