casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT50GP60B2DQ2G
Número de pieza del fabricante | APT50GP60B2DQ2G |
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Número de parte futuro | FT-APT50GP60B2DQ2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT50GP60B2DQ2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo IGBT | PT |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 600V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 150A |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 190A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Potencia - max | 625W |
Energía de conmutación | 465µJ (on), 635µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga de la puerta | 165nC |
Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 19ns/85ns |
Condición de prueba | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50GP60B2DQ2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT50GP60B2DQ2G-FT |
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XC7S75-2FGGA484I
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EPF10K100EFC484-1N
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EP1C12Q240C7
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