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Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Name: APT35GP120B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT35GP120B2DQ2G
Price: 17.36 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (768 reviews)

Número de pieza de MFG: APT35GP120B2DQ2G

Cantidad disponible: 58900 Piezas

Precio de referencia: USD 17.36

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fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS 7® IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - IGBTs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APT35GP120B2DQ2G.pdf

APT35GP120B2DQ2G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	APT35GP120B2DQ2G
Número de parte futuro	FT-APT35GP120B2DQ2G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APT35GP120B2DQ2G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo IGBT	PT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max)	96A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)	140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 35A
Potencia - max	543W
Energía de conmutación	750µJ (on), 680µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Carga de la puerta	150nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	16ns/95ns
Condición de prueba	600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caja	TO-247-3 Variant
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT35GP120B2DQ2G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APT35GP120B2DQ2G-FT

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