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Microsemi Corporation APT34F60BG

Número de pieza de MFG
APT34F60BG
Cantidad disponible
11910 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-APT34F60BG
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 8™
APT34F60BG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 34A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6640pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 624W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT34F60BG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT34F60BG-FT

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