casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT28M120B2
Número de pieza del fabricante | APT28M120B2 |
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Número de parte futuro | FT-APT28M120B2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT28M120B2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9670pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1135W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-MAX™ [B2] |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT28M120B2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT28M120B2-FT |
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XA3S400-4FGG456I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
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AT40K10-2DQU
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EP4CE55F23C9LN
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EP3C80F780I7N
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EP20K200RC240-1
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EP2S90F1020C3
Intel