casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT28F60B
Número de pieza del fabricante | APT28F60B |
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Número de parte futuro | FT-APT28F60B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT28F60B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5575pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 520W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT28F60B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT28F60B-FT |
PMPB47XP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB48EP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB50ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEAX
Nexperia USA Inc.
APT5010LLLG
Microsemi Corporation
APT38F80L
Microsemi Corporation
APT12057LFLLG
Microsemi Corporation
APT44F80L
Microsemi Corporation