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Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G
- Número de pieza de MFG
- APT25GP120BDQ1G
- Cantidad disponible
- 51480 Piezas
- Precio de referencia
- USD 10.952
- Nuestro precio
- Tenemos un gran descuento, contáctenos
- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Microsemi Corporation
- Breve descripción
- POWER MOS 7® IGBT 1200V 69A 417W TO247
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - IGBTs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- APT25GP120BDQ1G.pdf
APT25GP120BDQ1G Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | APT25GP120BDQ1G |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-APT25GP120BDQ1G |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | POWER MOS 7® |
| APT25GP120BDQ1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 1200V |
| Corriente - Colector (Ic) (Max) | 69A |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| Potencia - max | 417W |
| Energía de conmutación | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga de la puerta | 110nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 12ns/70ns |
| Condición de prueba | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APT25GP120BDQ1G Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | APT25GP120BDQ1G-FT |
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