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Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G

Número de pieza de MFG
APT25GP120BDQ1G
Cantidad disponible
51480 Piezas
Precio de referencia
USD 10.952
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 7® IGBT 1200V 69A 417W TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante APT25GP120BDQ1G
Número de parte futuro FT-APT25GP120BDQ1G
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APT25GP120BDQ1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo IGBT PT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max) 69A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A
Potencia - max 417W
Energía de conmutación 500µJ (on), 440µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 110nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 12ns/70ns
Condición de prueba 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 [B]
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT25GP120BDQ1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT25GP120BDQ1G-FT

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