casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT20N60BC3G
Número de pieza del fabricante | APT20N60BC3G |
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Número de parte futuro | FT-APT20N60BC3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
APT20N60BC3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2440pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 208W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20N60BC3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT20N60BC3G-FT |
PMPB40SNA,115
Nexperia USA Inc.
PMPB43XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB47XP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB48EP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB50ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEAX
Nexperia USA Inc.
APT5010LLLG
Microsemi Corporation
APT38F80L
Microsemi Corporation