casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT20M45BVRG
Número de pieza del fabricante | APT20M45BVRG |
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Número de parte futuro | FT-APT20M45BVRG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT20M45BVRG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 56A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4860pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20M45BVRG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT20M45BVRG-FT |
PMPB50ENEX
Nexperia USA Inc.
PMPB10XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB12UNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB15XPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB20XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB27EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB43XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB48EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100ENEAX
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel