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APT17F80B Image

Microsemi Corporation APT17F80B

Número de pieza de MFG
APT17F80B
Cantidad disponible
66940 Piezas
Precio de referencia
USD 6.005368
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante APT17F80B
Número de parte futuro FT-APT17F80B
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 8™
APT17F80B Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 580 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3757pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 [B]
Paquete / Caja TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT17F80B Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT17F80B-FT

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