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Microsemi Corporation APT11GP60BDQBG

Número de pieza de MFG
APT11GP60BDQBG
Cantidad disponible
30200 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 7® IGBT 600V 41A 187W TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-APT11GP60BDQBG
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APT11GP60BDQBG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo IGBT PT
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Corriente - Colector (Ic) (Max) 41A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 11A
Potencia - max 187W
Energía de conmutación 46µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 40nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 7ns/29ns
Condición de prueba 400V, 11A, 5 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT11GP60BDQBG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT11GP60BDQBG-FT

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