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Número de pieza del fabricante | APT10SCD120BCT |
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Número de parte futuro | FT-APT10SCD120BCT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT10SCD120BCT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 36A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10SCD120BCT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT10SCD120BCT-FT |
BAW56W,135
Nexperia USA Inc.
BAW56W/ZLF
Nexperia USA Inc.
BAW56W/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAV99,215
Nexperia USA Inc.
BAS70-04,215
Nexperia USA Inc.
BAT54S,215
Nexperia USA Inc.
BAW56,235
Nexperia USA Inc.
PMBD7000,235
Nexperia USA Inc.
BAV70,215
Nexperia USA Inc.
BAW56,215
Nexperia USA Inc.
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel